Titaanisulamist plaat
Titaankarbiidi kõrge mangaanisisaldusega terasest tsementeeritud karbiidi lõplik paagutamistemperatuur on tavaliselt 1420 kraadi. Paagutamistemperatuur ei tohiks olla liiga kõrge. Sidumisfaas võib muutuda isegi vedelaks faasiks ja metall võib kaduda, põhjustades kõva faasi külgnemist, agregeerumist ja kasvu, moodustades killustumise allika. See on põhjus, miks varem analüüsitud kõvafaasiliste terade sidumisfaas väheneb. Loomulikult ei saa paagutamistemperatuur olla liiga madal, vastasel juhul on sulam alapõletatud. Lisaks ülalmainitud paagutamistemperatuuri ja -kiiruse reguleerimisele siseneb ahju vaakumiaste vedelfaasi paagutamisetappi. Paagutamise ajal on vaja kontrollida ka vaakumi astet ahjus, sest liiga kõrge vaakumi aste lendub suurel hulgal vedelat metalli ja põhjustab komponentide segregatsiooni. Eriti kolmes etapis, milleks on kummide eemaldamine, redutseerimine ja vedelfaasiline paagutamine, ei tohiks selliste sulamite paagutamisel paagutamise ajal kuumutuskiirus olla kiire.
Titaanplaat
Kuumutamiskiirust ja hoidmisaega tuleb rangelt kontrollida. Kuna madala temperatuuriga gummi eemaldamise etapis vabastab kompakt pressimispinge ja moodustav aine lendub. Kui temperatuur tõuseb kiiresti, ei ole vormiainel aega lenduda ja veelduda ning muutuda auruks, mis põhjustab tihendi lõhkemist või mikropragusid; kui temperatuur tõuseb kiiresti, siis kompaktne puruneb või tekib mikropragu. Redutseerimisetapis tuleb anda kompaktile piisavalt aega lenduvate ainete ja hapniku eemaldamiseks kasutatavast toorainepulbrist (näiteks Mn2Fe põhisulamist); vedela faasi paagutamisetappi sisenedes tuleb ka temperatuuri tõusu kiirust aeglustada, et kompaktne täielikult sulatada. Terassidemega tsementeeritud karbiidi paagutamise põhimõte on niisutamise põhimõte, mis võimaldab vedelal faasil tahket faasi (kõva faas) täielikult niisutada. Vastasel juhul sadestub kompakti pinnale vedel metall FeMn vms või läheb see isegi kaduma.
Meditsiinilise kvaliteediga titaanplaat
Erineva koostisega tööstuslikud titaanplaadid näitavad samadel tingimustel erinevat dekarburiseerimiskäitumist. Näiteks võib Si parandada elastsuse piiri, tugevust, karastamise stabiilsust ja elastsuse kadumise vastupidavust, kuna erinevatel legeerelementidel on süsiniku aktiivsusele ja difusioonile erinev mõju. Tähelepanu tuleb aga pöörata ka tugevale pinna dekarburiseerimisele, mille põhjustab Si, mis suurendab süsiniku aktiivsust austeniidis ja keemilise potentsiaali gradient. Shitai Company katseliselt toodetud madala süsinikusisaldusega tööstuslik titaanplaat 28MnSiB vähendab süsiniku-räni sisaldust titaanis, vähendades tõhusalt pinna dekarburiseerumist. Kontrolli tulemused näitavad, et tegelik süsinikusisaldus on 0,10%-0,16%, keskmiselt 0,12%, mis vastab standardile. Süsinikusisaldus on nõutav alla 0,23%.
